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NCE0102M新洁能100V MOS 全新原装

发布日期 :2020-02-10 11:28访问:1次发布IP:219.134.218.36编号:5516267
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场效应管/模块
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供应NCE0102M新洁能100V MOS 全新原装,原装,库存现货热销
NCE0102M参数:100V 2A SOT-89  MOS管/场效应管, N沟道
品牌: 新洁能NCE 
型号:NCE0102M
VDS:100V 
IDS:2A 
封装:SOT-89
沟道:N沟道
NCE0102M原装,NCE0102M现货热销供应

HN0801可以替代NCE0102M

品牌:HN
型号:HN0801
VDS:100V  
IDS:8A  
封装:SOT-89
沟道:N沟道
HN0801原装,库存现货,品质好,价格优惠!高质量,高性价比!
HN0801参数:100V 8A SOT-89  MOS管/场效应管, N沟道
我司可以免费提供100V MOS管HN0801样品,欢迎来电咨询及购买100V MOS管HN0801
售后服务:公司免费提供HN0801样品,并提供产品运用的技术支持。
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HN0801

 

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NCE0102M场效应管,无二次击穿:由于普通的功率晶体三极管具有当温度上升就会导致集电极电流上升(正的温度~电流特性)的现象,而集电极电流的上升又会导致温度进一步的上升,温度进一步的上升,更进一步的导致集电极电流的上升这一恶性循环。而晶体三极管的耐压VCEO随管温度升高是逐步下降,这就形成了管温继续上升、耐压继续下降最终导致晶体三极管的击穿,这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象,也称为二次击穿现象。NCE0102M,MOS管具有和普通晶体三极管相反的温度~电流特性,即当管温度(或环境温度)上升时,沟道电流IDS反而下降。例如;一只IDS=10A的MOS FET开关管,当VGS控制电压不变时,在250C温度下IDS=3A,当芯片温度升高为1000C时,IDS降低到2A,这种因温度上升而导致沟道电流IDS下降的负温度电流特性,使之不会产生恶性循环而热击穿。也就是NCE0102MMOS管没有二次击穿现象,可见采用MOS管作为开关管,其开关管的损坏率大幅度的降低,近两年电视机开关电源采用MOS管代替过去的普通晶体三极管后,开关管损坏率大大降低也是一个极好的证明。

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